磷化镓-半导体材料
磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属于间接跃迁型半导体。磷化镓与其他宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。
磷化镓单晶制备多采用直拉法，或者采用定向凝固工艺合成磷化镓多晶，再进行适当处理后装入高压单晶炉进行单晶拉制。但是常规的制备方法生长速度极慢，且难以得到尺寸较大的单晶体。
磷化稼单晶是化合物半导体中生产量仅次于砷化稼的单晶材料。全世界单晶年产量1973年约1吨，1980年发展到10吨，进入90年代接近20吨。磷化稼单晶材料和外延材料均已达到工业生产规模。
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